مينانيوزواير، كوريا الجنوبية: أعلنت شركة سامسونج للالكترونيات أنها في طريقها لبدء تسليم منتجات ذاكرة HBM4 عالية النطاق الترددي من الجيل التالي في الربع الأول من عام 2026. وقالت الشركة إن مجموعة HBM4 ستشمل منتجات بأداء 11.7 جيجابت في الثانية، حيث تعمل على توسيع مبيعات الذاكرة المستخدمة في خوادم الذكاء الاصطناعي والمسرعات. ولم تذكر سامسونج أسماء العملاء الذين ستبدأ بتسليم منتجات HBM4 لهم، ولم تكشف عن حجم الشحنات في تقارير أرباحها.
في نتائج الربع الرابع والعام 2025 بأكمله، قالت سامسونج إن أعمالها في مجال الذاكرة سجلت مستويات قياسية في الإيرادات الفصلية والأرباح التشغيلية، مدعومة بارتفاع مبيعات المنتجات عالية القيمة بما في ذلك HBM و DDR5 للخوادم ومحركات الأقراص الصلبة للمؤسسات. وقالت الشركة إن محدودية توفر العرض ظلت عاملاً مؤثراً حتى مع استمرار الطلب على الحوسبة الاصطناعية في رفع استهلاك الذاكرة والتخزين المتقدمين المستخدمين في مراكز البيانات.
الذاكرة عالية النطاق الترددي هي تقنية DRAM مكدسة عموديًا مصممة لزيادة معدل نقل البيانات مقارنة بذاكرة DRAM التقليدية، و HBM4 هي أحدث جيل بعد HBM3E. في عرض للمستثمرين مصاحب لإصدار الأرباح، قالت سامسونج إنها تخطط لبدء تسليم ”منتجات ضخمة“ من HBM4، بما في ذلك إصدار 11.7 جيجابت في الثانية، وأشارت إلى ”الشحن في الوقت المناسب“ لـ HBM4 كجزء من توقعاتها قصيرة المدى للمنتجات المتعلقة بالذكاء الاصطناعي .
أطلقت إنفيديا، أكبر مورد لمسرعات مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، منصة Rubin، التي تقول إنها تستخدم HBM4 عبر تكوينات متعددة للنظام. في صفحة مواصفات منتجات إنفيديا لنظام Vera Rubin NVL72 على نطاق الرف، تدرج الشركة 20.7 تيرابايت من HBM4 مع 1580 تيرابايت في الثانية من النطاق الترددي، و 288 جيجابايت من HBM4 مع 22 تيرابايت في الثانية من النطاق الترددي لوحدة معالجة رسومات Rubin واحدة، مشيرة إلى أن الأرقام أولية وقابلة للتغيير.
متطلبات ذاكرة منصة Rubin
أشار بيان نتائج سامسونج أيضًا إلى عمل أوسع نطاقًا في مجال تصنيع وتعبئة أشباه الموصلات المتقدمة المرتبطة بحوسبة الذكاء الاصطناعي. وقالت إن أعمالها في مجال الصب بدأت في الإنتاج الضخم لمنتجات الجيل الأول 2 نانومتر وبدأت في شحن منتجات قاعدة HBM 4 نانومتر، وهي مكونات تستخدم في الطبقة المنطقية لمكدسات الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي. وقالت سامسونج إنها تخطط لتوفير حلول محسنة من خلال دمج تقنيات المنطق والذاكرة والتعبئة المتقدمة.
كما نشرت شركات تصنيع ذاكرة رئيسية أخرى جداول زمنية لاستعدادها لـ HBM4. قالت SK hynix في سبتمبر 2025 إنها أكملت تطوير HBM4 وانتهت من إعداده، وإنها أعدت نظامًا للإنتاج الضخم. وقالت Micron في عرض تقديمي للمستثمرين في ديسمبر 2025 إن HBM4، بسرعات تزيد عن 11 جيجابت في الثانية، يسير على الطريق الصحيح لتحقيق عوائد عالية في الربع الثاني من عام 2026، بما يتوافق مع خطط العملاء لتطوير المنصات.
خرائط طريق HBM4 المنافسة
في وصفها لبرنامج HBM4 الخاص بها، قالت Micron إن HBM4 الخاص بها يستخدم تقنيات CMOS ومعدنة متقدمة على قاعدة المنطق الأساسي وقوالب DRAM، المصممة والمصنعة داخليًا، وأشارت إلى أن قدرات التعبئة والاختبار تعتبر حاسمة بالنسبة لأهداف الأداء والطاقة. وصفت SK hynix HBM4 بأنه جزء من تطور جيلي في الذاكرة المكدسة المصممة للذكاء الاصطناعي عالي الأداء، حيث يعد النطاق الترددي وكفاءة الطاقة متطلبات أساسية لتشغيل مراكز البيانات.
لم تربط مواد أرباح سامسونج جدول تسليم HBM4 بأي برنامج معالج ذكاء اصطناعي محدد أو نشر عملاء. لا تحدد إعلانات إنفيديا عن Rubin والمواصفات المنشورة موردي HBM4، ولم تكشف إنفيديا عن تخصيصات البائعين لـ HBM4 المستخدم في أنظمة Rubin. الجدول الزمني المؤكد لـ سامسونج، كما هو مذكور في إصدار نتائجها، هو أن تسليم HBM4 من المتوقع أن يبدأ في الربع الأول من عام 2026.